RJP020N06T100 دیتاشیت

RJP020N06T100

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RJP020N06T100
حجم فایل 49.388 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت RJP020N06T100

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RJP020N06T100
  • Operating Temperature: +150°C@(Tch)
  • Power Dissipation (Pd): 500mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 5nC@4V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 160pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@1mA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 45pF@10V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 165mΩ@4.5V,2A
  • Package: SOT-89
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه